Thermal Annealing of High Dose P Implantation in 4H-SiC

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Calabretta, C. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Zimbone, M. (VerfasserIn), Barbagiovanni, E. G. (VerfasserIn), Boninelli, S. (VerfasserIn), Piluso, N. (VerfasserIn), Severino, A. (VerfasserIn), Stefano, M. A. di (VerfasserIn), Lorenti, S. (VerfasserIn), Calcagno, L. (VerfasserIn), Via, F. La (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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