Recent Advances in the Doping of 4H-SiC by Channeled Ion Implantation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Hallén, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Linnarsson, M. K. (VerfasserIn), Vines, L. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
Schlagworte:
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