Recent Advances in the Doping of 4H-SiC by Channeled Ion Implantation

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser: Hallén, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Linnarsson, M. K. (VerfasserIn), Vines, L. (VerfasserIn)
Pages:2018
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: 2019
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
ISBN:9783035713329
3035713324