Observation of Dislocation Conversion in 4H-SIC Epitaxial Wafer by Mirror Projection Electron Microscopy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Miyaki, T. Isshiki, T. Sato, M. Hasegawa, K. Ohira, K. Kobayashi, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Onuki, K. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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