Continuous Growth of Buffer/Drift Epitaxial Stack Based on 4H-SiC by Quick Change of N2 Flow Rate under High Growth Rate Condition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Ishii, Y. Daigo, A. Ishiguro, S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kobayashi, T. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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