Application of Defect Conversion Layer by Solution Growth for Reduction of TSDs in 4H-SiC Bulk Crystals by PVT Growth

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	Kato, N. Komatsu, T. Mitani, Y. Hayashi, H. Suo, T. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Okumura, H. (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!