Influence of Dopant Concentration on Dislocation Distributions in 150mm 4H SiC Wafers

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser:	.., I. Manning, G. Y. Chung, E. Sanchez, M. Dudley, T. Ailihumaer, J. Q. Guo, O. Goue, B. Raghothamachar....................... . .... (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	ess, . sn (VerfasserIn)
Pages:	2018
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2019
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