Influence of Dopant Concentration on Dislocation Distributions in 150mm 4H SiC Wafers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018
1. Verfasser: .., I. Manning, G. Y. Chung, E. Sanchez, M. Dudley, T. Ailihumaer, J. Q. Guo, O. Goue, B. Raghothamachar....................... . .... (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: ess, . sn (VerfasserIn)
Pages:2018
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: 2019
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Beschreibung
ISBN:9783035713329
3035713324