Vorhabensbezeichnung: Innovative Fehleranalytik für hoch integrierte Elektroniksysteme - SAM³, Teilvorhaben: Plasmasystem zum Trockenätzen von neuartigen SiC/GaN Halbleiterbauelementen : Schlussbericht nach Nr. 8.2. NKBF 98 : Laufzeit des Vorhabens: 01.10.2015-30.09.2018, kostenneutrale Verlängerung bis 31.12.2018 : Berichtszeitraum: 01.10.2015-31.12.2018 = Smart Analysis Methods for 3D Integration in Advanced Microsystems and Corresponding Materials, Acronym: SAM³ : subproject: Plasma Etch Equipment for Die Preparation of New Semiconductor Substrate Materials

Vorhabensbezeichnung: Innovative Fehleranalytik für hoch integrierte Elektroniksysteme - SAM³, Teilvorhaben: Plasmasystem zum Trockenätzen von neuartigen SiC/GaN Halbleiterbauelementen Schlussbericht nach Nr. 8.2. NKBF 98 : Laufzeit des Vorhabens: 01.10.2015-30.09.2018, kostenneutrale Verlängerung bis 31.12.2018 : Berichtszeitraum: 01.10.2015-31.12.2018 = Smart Analysis Methods for 3D Integration in Advanced Microsystems and Corresponding Materials, Acronym: SAM³ : subproject: Plasma Etch Equipment for Die Preparation of New Semiconductor Substrate Materials

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schneider, Joachim (VerfasserIn)
Körperschaft: MUEGGE GmbH (Herausgebendes Organ)
Weitere Verfasser: Jin, Jiehong (VerfasserIn), Endermann, Markus (VerfasserIn), Deppert, Oliver (VerfasserIn), Dünnbier, Mario (VerfasserIn), Reichmann, Markus (VerfasserIn), Spitzner, Christian (MitwirkendeR)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Reichelsheim Muegge GmbH 2019
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 16ES0341
Autoren dem Berichtsblatt entnommen. - Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:42, 2 ungezählte Blätter
Illustrationen, Diagramme