In-situ-Analyse des epitaktischen Wachstums von III-V-Halbleitern mit der Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS)

Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss. : 1994

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Reinhardt, Frank (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Berlin W und T, Wiss.-und-Technik-Verl. 1994
Ausgabe:	1. Aufl.
Schlagworte:	Hochschulschrift > Drei-Fünf-Halbleiter > Epitaxie > Reflexionsspektroskopie
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