Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte

Zugl.: @Dortmund, Univ., Diss., 1986

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Vogt, Holger (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verlag 1986
Schriftenreihe:	Fortschritt-Berichte / VDI Reihe 9, Elektronik Nr. 64
Schlagworte:	Silicium > Einkristall > Ionenimplantation > Stickstoff > CMOS > SOI-Technik
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