The numerical simulation of oxygen precipitation in silicon

The numerical simulation of oxygen precipitation in silicon

Zugl.: Freiberg, Bergakademie, Diss., 2001

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Long, Li (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Aachen Shaker 2001
Schriftenreihe:Berichte aus der Physik
Schlagworte:
Hochschulschrift > Siliciumhalbleiter > Ausscheidung > Sauerstoff > Berechnung > Kristallphysik > Einschluss > Silicium > Simulation > Numerisches Verfahren > Festkörperphysik > Synthetischer Kristall > Fremdatom > Computersimulation
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Keine Ergebnisse!