The numerical simulation of oxygen precipitation in silicon

The numerical simulation of oxygen precipitation in silicon

Zugl.: Freiberg, Bergakademie, Diss., 2001

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Long, Li (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Aachen Shaker 2001
Schriftenreihe:Berichte aus der Physik
Schlagworte:
Hochschulschrift > Siliciumhalbleiter > Ausscheidung > Sauerstoff > Berechnung > Kristallphysik > Einschluss > Silicium > Simulation > Numerisches Verfahren > Festkörperphysik > Synthetischer Kristall > Fremdatom > Computersimulation
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Beschreibung
Zusammenfassung:Zugl.: Freiberg, Bergakademie, Diss., 2001
Beschreibung:VI, 106 S.
graph. Darst.
ISBN:3826593316
3-8265-9331-6