SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices

SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser: Cressler, John D. (HerausgeberIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Boca Raton, Fla. u.a. CRC Press 2008
Schlagworte:
Bipolar transistors > Materials > Heterostructures > Silicon > Electric properties > Epitaxy > Silicium > Heterostruktur-Bauelement > Germanium > Halbleiterbauelement > Bipolartransistor > Feldeffekttransistor > Optoelektronisches Bauelement
Online Zugang:Inhaltsverzeichnis
Verlagsangaben
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Beschreibung
Beschreibung:The material was previously published in Silicon heterostructure handbook : materials, fabrication, devices, circuits and applications of SiGe and Si strained-layer epitaxy, Taylor and Francis, 2005
Includes bibliographical references and index
Beschreibung:Getr. Zählung
Ill., graph. Darst.
ISBN:9781420066852
978-1-4200-6685-2
1420066854
1-4200-6685-4