Measurement and modeling of silicon heterostructure devices

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Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser:	Cressler, John D. (HerausgeberIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Boca Raton, Fla. u.a. CRC Press 2008
Schlagworte:	Bipolar transistors > Mathematical models > Heterostructures > Integrated circuits > Design and construction
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