Metallorganische Gasphasenepitaxie und Eigenschaften von AlxGA1346xAS/GaAs-Mehrschichtstrukturen für die Anwendung in Feldeffekttransistoren

Zugl.: Duisburg, Univ., Diss. : 1989

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Heuken, Michael (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Nellissen-Wolff 1989
Schriftenreihe:	Duisburger Mikroelektronik 6
Schlagworte:	Field-effect transistors > Hochschulschrift > Feldeffekttransistor > Heterostruktur > Gasphasenepitaxie
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!