Untersuchung der Bildung von Defekten und der Diffusionskinetik auf III-V-Halbleiteroberflächen mit Hilfe der Hochtemperatur-Rastertunnelmikroskopie
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003
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1. Verfasser: | |
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Format: | UnknownFormat |
Sprache: | ger |
Veröffentlicht: |
Jülich
Forschungszentrum, Zentralbibliothek
2003
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Schriftenreihe: | Berichte des Forschungszentrums Jülich
4036 |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | Freie elektronische Version |
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Zusammenfassung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003 |
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Beschreibung: | 132 Seiten Illustrationen, Diagramme 30 cm |