Anfangsstadien der thermischen Nitridation der Silizium-(100)-Oberfläche unter Verwendung von Ammoniak und Stickstoffmonoxid

München, Univ., Diss. : 1993

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Stober, Jörg (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1993
Schlagworte:	Hochschulschrift > Silicium > Kristallfläche > Siliciumnitrid > Dünne Schicht > Schichtwachstum > Photoelektronenspektroskopie
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	München, Univ., Diss. : 1993
Beschreibung:	IV, 103 S graph. Darst