Modelling der physikalischen Prozesse bei der Rekristallisation von dünnen Siliziumschichten

Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss. : 1993

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Hu, Bo (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: 1993
Schlagworte:
Hochschulschrift > Silicium > Polykristall > Dünne Schicht > Rekristallisation > Laser > Korngrenze > Kristallwachstum
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss. : 1993
Beschreibung:III, 101 S
Ill., graph. Darst