Integration epitaktischer InP-Schichten in Si-MOS-Schaltungen

Integration epitaktischer InP-Schichten in Si-MOS-Schaltungen

Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss. : 1993

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Lubnow, Andreas (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Düsseldorf VDI-Verlag 1993
Schriftenreihe:Fortschrittberichte VDI Reihe 9, Elektronik, Mikro- und Nanotechnik 166
Schlagworte:
Hochschulschrift > MOS-Schaltung > Siliciumbauelement > Indiumphosphid > Dünne Schicht > Gasphasenepitaxie > Silicium
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Beschreibung
Zusammenfassung:Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss. : 1993
Beschreibung:Literaturverz. S. 102 - 107
Beschreibung:VI, 110 S
Ill., graph. Darst
21 cm
ISBN:3181466093
3-18-146609-3