GaAs-MESFET mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration Abschlußbericht zum Forschungsprojekt

Zugl.: Duisburg, Univ.-GH, FB Elektrotechnik, Diss., 1989. - ersch. u.d.T.: Ionenimplantierte GaAs-MESFET mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Seiler, Ulrich (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Heime, K. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	Duisburg 1989
Schlagworte:	Hochschulschrift
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Zugl.: Duisburg, Univ.-GH, FB Elektrotechnik, Diss., 1989. - ersch. u.d.T.: Ionenimplantierte GaAs-MESFET mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration
Beschreibung:	Förderungskennzeichen BMFT NT 2717 C8. - BMFT NT 2762 B Auch als: Duisburger Mikroelektronik ; 9
Beschreibung:	V, 76 Bl