Bias-annealing Experimente an dotierten a-Si:H Schichten [Vortrag] ; 8. Honnefer Gespräch Amorphe Halbleiter ; Bad Honnef, DE, 17.-19.10.90

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Krötz, Gerhard (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Wind, Jörg (VerfasserIn), Müller, Gerhard (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Ottobrunn b. München Technisch-wissenschaftliche Information, Zentrale Berichtsstelle, Messerschmitt-Bölkow-Blohm 1990
Ausgabe:	[Mikrofiche-Ausg.]
Schriftenreihe:	MBB-Bericht Z 90,316 OTN 030815
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