Reaktionsdiffusion in Metall/GaAs Kontakten aus der Sicht ternärer Ga-As-M Phasengleichgewichte (M=W, Re, Si, Mo, Ta und Ti)

Reaktionsdiffusion in Metall/GaAs Kontakten aus der Sicht ternärer Ga-As-M Phasengleichgewichte (M=W, Re, Si, Mo, Ta und Ti)

Zugl.: Clausthal-Zellerfeld, Techn. Univ., Diss., 1992

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Han, Qiang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Han, Quiang (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Düsseldorf VDI-Verl. 1993
Ausgabe:Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:Fortschrittberichte VDI Reihe 5, Grund- und Werkstoffe, Kunststoffe 287
Schlagworte:
Hochschulschrift > Galliumarsenid > Metall > Grenzfläche > Diffusion > Ternäres System > Phasengleichgewicht > Festkörperreaktion
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Beschreibung
Zusammenfassung:Zugl.: Clausthal-Zellerfeld, Techn. Univ., Diss., 1992
Beschreibung:VIII, 154 S
graph. Darst
ISBN:3181487058
3-18-148705-8