Oberflächenspeicherung und Rekombination von Trägern in Germanium zwischen 90 und 300 [Grad] K

Köln, Univ., Diss., 1960

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Beckmann, Karl Heinz (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1960
Schlagworte:	Hochschulschrift
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Köln, Univ., Diss., 1960
Beschreibung:	Aus: Zeitschrift für angewandte Physik ; 14, 6 (1962)
Beschreibung:	S. 352-358