Einfluss der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K

Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1977

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Heime, Axel (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1977
Schlagworte:	Hochschulschrift
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1977
Beschreibung:	106, 22 S. Ill., graph. Darst.