Einfluss der Ladungsträgerdynamik auf die Spinrelaxation in GaAs

Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, 2017

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Lonnemann, Jan Gerrit (VerfasserIn)
Körperschaft:	Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover (Grad-verleihende Institution)
Weitere Verfasser:	Oestreich, Michael (AkademischeR BetreuerIn), Haug, Rolf (AkademischeR BetreuerIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Hannover 2017
Schlagworte:	Hochschulschrift > Galliumarsenid > Spinrelaxation > Transportprozess > Tieftemperatur > Dotierung > Metall-Isolator-Phasenumwandlung > Hyperfeinwechselwirkung > Spin-Bahn-Wechselwirkung > Tunneleffekt > Lokalisation
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, 2017 Spinrelaxation, Transportmechanismen, Galliumarsenid. - Spin relaxation, transport properties, gallium arsenide
Beschreibung:	212 Seiten Illustrationen, Diagramme