Verbundprojekt: Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation - ZuGaNG, Teilvorhaben: GaN Prozessmodul für eine zukünftige Serienfertigung in einer CMOS-Umgebung - GaNPM Laufzeit des Vorhabens: 01.04.2014-31.03.2017 (Verlängerung bis 30.06.2017), Berichtszeitraum: 01.04.2014-30.06.2017
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| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Erfurt
X-FAB Semiconductor Foundries AG
31.12.17
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| Online Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
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Tag hinzufügen | Beschreibung: | Förderkennzeichen BMBF 16ES0087. - Verbund-Nummer 01146408 Autor dem Berichtsblatt entnommen Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden |
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| Beschreibung: | 55 Seiten, 2 ungezählte Blätter Illustrationen, Diagramme |