Verbundvorhaben: Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation (ZuGaNG) : Einzelvorhaben: Schnelle und zuverlässige GaN-Schalttransistoren auf Si-Substraten für zukünftige Energiewandlungen (ZuGaNG_IAF) : schnelle und zuverlässige GaN/Si-Schalttransistoren, Untersuchungen zur Kompabilität (ZuGaNG_ISIT) : Abschlussbericht : Laufzeit: 01.04.2014-30.06.2017 = Fast and reliable GaN switching transistors on Si substrates for future power switching applications (ZuGaNG_IAF) : fast and reliable GaN/Si switching transistors, investigation on the compatibility

Verbundvorhaben: Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation (ZuGaNG) Einzelvorhaben: Schnelle und zuverlässige GaN-Schalttransistoren auf Si-Substraten für zukünftige Energiewandlungen (ZuGaNG_IAF) : schnelle und zuverlässige GaN/Si-Schalttransistoren, Untersuchungen zur Kompabilität (ZuGaNG_ISIT) : Abschlussbericht : Laufzeit: 01.04.2014-30.06.2017 = Fast and reliable GaN switching transistors on Si substrates for future power switching applications (ZuGaNG_IAF) : fast and reliable GaN/Si switching transistors, investigation on the compatibility

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Waltereit, Patrick (VerfasserIn)
Körperschaft: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Herausgebendes Organ)
Weitere Verfasser: Reiner, Richard (VerfasserIn), Weiss, Beatrix (VerfasserIn), Czap, Heiko (VerfasserIn), Dietz, Frank (VerfasserIn), Züge, Heiko (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Freiburg Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF) Dezember 2017
Schlagworte:
Forschungsbericht
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