Verbundvorhaben: Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation (ZuGaNG) Einzelvorhaben: Schnelle und zuverlässige GaN-Schalttransistoren auf Si-Substraten für zukünftige Energiewandlungen (ZuGaNG_IAF) : schnelle und zuverlässige GaN/Si-Schalttransistoren, Untersuchungen zur Kompabilität (ZuGaNG_ISIT) : Abschlussbericht : Laufzeit: 01.04.2014-30.06.2017 = Fast and reliable GaN switching transistors on Si substrates for future power switching applications (ZuGaNG_IAF) : fast and reliable GaN/Si switching transistors, investigation on the compatibility
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Sprache: | ger |
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Freiburg
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF)
Dezember 2017
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Beschreibung: | Förderkennzeichen BMBF 16ES0076K. - Verbund-Nummer 01146408 Projektleiter sind laut Berichtsblatt Autoren Weitere Autoren dem Berichtsblatt entnommen Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden |
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Beschreibung: | 54 Blätter, 2 ungezählte Blätter Illustrationen, Diagramme |