Verbundvorhaben: Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation (ZuGaNG) Einzelvorhaben: Schnelle und zuverlässige GaN-Schalttransistoren auf Si-Substraten für zukünftige Energiewandlungen (ZuGaNG_IAF) : schnelle und zuverlässige GaN/Si-Schalttransistoren, Untersuchungen zur Kompabilität (ZuGaNG_ISIT) : Abschlussbericht : Laufzeit: 01.04.2014-30.06.2017 = Fast and reliable GaN switching transistors on Si substrates for future power switching applications (ZuGaNG_IAF) : fast and reliable GaN/Si switching transistors, investigation on the compatibility

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Waltereit, Patrick (VerfasserIn)
Körperschaft: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Herausgebendes Organ)
Weitere Verfasser: Reiner, Richard (VerfasserIn), Weiss, Beatrix (VerfasserIn), Czap, Heiko (VerfasserIn), Dietz, Frank (VerfasserIn), Züge, Heiko (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Freiburg Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF) Dezember 2017
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 16ES0076K. - Verbund-Nummer 01146408
Projektleiter sind laut Berichtsblatt Autoren
Weitere Autoren dem Berichtsblatt entnommen
Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:54 Blätter, 2 ungezählte Blätter
Illustrationen, Diagramme