BMBF-Verbundprojekt "Prozesstechnologien für die Halbleiter-Nanodraht-basierte Sensorik mit hohem Durchsatz (WireControl)" : Schlussbericht für das Teilvorhaben "GaN-basierte Nanodraht-Technologie für Sensorik mit hohem Durchsatz" : Laufzeit des Vorhabens: 01.10.2014 bis 31.03.2017, Berichtszeitraum: 01.10.2014 bis 31.03.2017

BMBF-Verbundprojekt "Prozesstechnologien für die Halbleiter-Nanodraht-basierte Sensorik mit hohem Durchsatz (WireControl)" Schlussbericht für das Teilvorhaben "GaN-basierte Nanodraht-Technologie für Sensorik mit hohem Durchsatz" : Laufzeit des Vorhabens: 01.10.2014 bis 31.03.2017, Berichtszeitraum: 01.10.2014 bis 31.03.2017

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Wasisto, Hutomo Suryo (VerfasserIn)
Körperschaft: Technische Universität Braunschweig Institut für Halbleitertechnik (Herausgebendes Organ)
Weitere Verfasser: Waag, Andreas (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Braunschweig Technische Universität Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik (IHT) 14.11.2017
Schlagworte:
Forschungsbericht > Galliumnitrid > Halbleiterbauelement > Nanodraht
Online Zugang:Inhaltsverzeichnis
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