BMBF-Verbundprojekt "Prozesstechnologien für die Halbleiter-Nanodraht-basierte Sensorik mit hohem Durchsatz (WireControl)" Schlussbericht für das Teilvorhaben "GaN-basierte Nanodraht-Technologie für Sensorik mit hohem Durchsatz" : Laufzeit des Vorhabens: 01.10.2014 bis 31.03.2017, Berichtszeitraum: 01.10.2014 bis 31.03.2017

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Wasisto, Hutomo Suryo (VerfasserIn)
Körperschaft:	Technische Universität Braunschweig Institut für Halbleitertechnik (Herausgebendes Organ)
Weitere Verfasser:	Waag, Andreas (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Braunschweig Technische Universität Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik (IHT) 14.11.2017
Schlagworte:	Forschungsbericht > Galliumnitrid > Halbleiterbauelement > Nanodraht
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Beschreibung:	Förderkennzeichen BMBF 16ES0292K. - Verbund-Nummer 01156870 "Autor(en): Wasisto, Hutomo Suryo; Prof. Dr. Waag, Andreas" - Berichtsblatt Veröffentlichungsdatum handschriftlich auf dem Berichtsblatt Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:	41 Blätter, 2 ungezählte Blätter Illustrationen, Diagramme