Properties of Gallium arsenide diode lasers 1. Interference effects in the far-field patterns of semiconductor diode lasers ; 2. Gallium arsenide diode lasers with oblique angles between the resonator mirrors and the p-n junction ; 3. Observation of mode coupling in GaAs lasers
Bern, Phil. Diss., 14.12.1967
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | eng |
| Veröffentlicht: |
Bern
Lang
1968
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