Properties of Gallium arsenide diode lasers 1. Interference effects in the far-field patterns of semiconductor diode lasers ; 2. Gallium arsenide diode lasers with oblique angles between the resonator mirrors and the p-n junction ; 3. Observation of mode coupling in GaAs lasers
Bern, Phil. Diss., 14.12.1967
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | eng |
| Veröffentlicht: |
Bern
Lang
1968
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Tag hinzufügen | Zusammenfassung: | Bern, Phil. Diss., 14.12.1967 |
|---|---|
| Beschreibung: | Aus: Physics Letters, Vol. 24A 1967, Solid-State Electronics, Vol. 9, 1968, Zeitschr. für angewandte Mathematik und Physik ; Vol. 18, 1967 |
| Beschreibung: | Ill., Getr. Pag |