Oberflächenspeicherung und Rekombination von Trägern in Germanium zwischen 90 und 300 K (mit 9 Textabbildungen)

Köln, Math.-naturwiss. F., Diss. v. 23. Juli 1960 (Nur in beschr. Anz. f. d. Aust.)

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Zeitschrift f. angewandte Physik. Bd 14. 1962, H. 6, zus. mit Dietrich Geist
1. Verfasser:	Beckmann, Karl Heinz (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Köln 1960
Schlagworte:	Hochschulschrift
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