Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen

Hamburg, Univ., FB Physik, Diss., 1990

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Goller, Klaus-Werner (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: 1990
Schlagworte:
Hochschulschrift > Molekularstrahlepitaxie > Galliumarsenid > Kristall > Schichtwachstum > Aluminiumarsenid > Mischkristall
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Beschreibung
Zusammenfassung:Hamburg, Univ., FB Physik, Diss., 1990
Beschreibung:110 S.
Ill., graph. Darst.
21 cm