Entwicklung einer Epitaxieanlage einschließlich Prozeßentwicklung zur Abscheidung homogener GaAs/AlGaAs Schichten mittels Gasphasenepitaxie Abschlußbericht ; Contract 415-7291-NT 2717 F6

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft:	Aixtron GmbH (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Strauch, G. (BearbeiterIn), Heyen, M. (BearbeiterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen ca. 1988
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