Entwicklung einer Epitaxieanlage einschließlich Prozeßentwicklung zur Abscheidung homogener GaAs/AlGaAs Schichten mittels Gasphasenepitaxie Abschlußbericht ; Contract 415-7291-NT 2717 F6
Gespeichert in:
| Körperschaft: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Aachen
ca. 1988
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Tag hinzufügen | Beschreibung: | 53 S |
|---|