Structural and electronic properties of doped a-Si1-xGex:H alloys grown with H-dilution ICAST-13, Asheville, USA, 21.-25.08.89

Bibliographische Detailangaben

Körperschaft:	Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH (MBB) (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Wind, Jörg (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	München Zentrale Berichtsstelle, Technisch-wissenschaftliche Information, Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH 1989
Schriftenreihe:	MBB-Bericht. Z 251-89 PUB OTN 010896
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