Halbleiterübergitter für neue Bauelementkonzepte der Mikroelektronik Photodetektor, Leuchtdiode und Laser aus GaAs für den 0.9-1.4 [my]m Bereich ; Schlußbericht ; Abschlußdatum: Dezember 1985 ; Contract NT-2677-4
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Format: | UnknownFormat |
Sprache: | ger |
Veröffentlicht: |
Stuttgart
Max-Planck-Inst. für Festkörperforschung
1986
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Schriftenreihe: | Forschungsbericht / Bundesministerium für Forschung und Technologie. Technologische Forschung und Entwicklung
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Beschreibung: | 50 S |
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