A thermal equilibrium model for the dopant and defect structure in a-Si:H

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Holler, Gerhard (VerfasserIn)
Körperschaft: Unternehmensbereich Apparate, Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, Ottobrunn (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Veröffentlicht: München Zentrale Berichtsstelle, Technisch-wissenschaftliche Information, Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH 1988
Schriftenreihe:MBB-Bericht. Z 189-88 PUB
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