Two-dimensional modeling of gallium arsenide submicron field effect transistor structures

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Sandborn, Peter Alan (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	Ann Arbor UMI 1987
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Beschreibung
Beschreibung:	Ann Arbor, Univ.of Michigan, Ph.D.Thesis 1987
Beschreibung:	Mikrofiche