Oberflächenspeicherung und Rekombination von Trägern in Germanium zwischen 90 und 300 K. (Mit 9 Textabb.)

Köln, Math.-naturwiss. F., Diss. v. 23. Juli 1960 (Nur in beschr. Anz. f. d. Aust.)

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Beckmann, Karl Heinz (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	Köln 1960
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