Oberflächenspeicherung und Rekombination von Trägern in Germanium zwischen 90 und 300 K. (Mit 9 Textabb.)

Köln, Math.-naturwiss. F., Diss. v. 23. Juli 1960 (Nur in beschr. Anz. f. d. Aust.)

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Beckmann, Karl Heinz (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	Köln 1960
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Köln, Math.-naturwiss. F., Diss. v. 23. Juli 1960 (Nur in beschr. Anz. f. d. Aust.)
Beschreibung:	Aus: Zeitschrift f. angewandte Physik. Bd 14. 1962, H. 6, zus. mit Dietrich Geist
Beschreibung:	S. 352-358.