Einfluss der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K

Darmstadt, Diss., 1977.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Heime, Axel (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1977
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Darmstadt, Diss., 1977.
Beschreibung:	106 S.