Group III-nitride nanowires for optoelectronic control of nitrogen-vacancy centers in diamond

Dissertation, Technische Universität München, 2018

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Hetzl, Martin (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Garching Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München e. V. 2018
Ausgabe:1. Auflage
Schriftenreihe:Selected topics of semiconductor physics and technology Vol. 213
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Beschreibung
Zusammenfassung:Dissertation, Technische Universität München, 2018
Beschreibung:x, 231 Seiten
Illustrationen, Diagramme
ISBN:9783946379133
978-3-946379-13-3