Nobel lecture: Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Reviews of modern physics / publ. by the American Physical Society
1. Verfasser:	Amano, Hiroshi (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2015
Schlagworte:	Amano, Hiroshi > Geschichte 2014 > Lumineszenzdiode > Nobelpreis > Vortrag > p-Halbleiter > Herstellung > Blau > Galliumnitrid
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Beschreibung
Beschreibung:	Illustrationen, Diagramme
ISSN:	0034-6861