Interfaces in nitride devices

Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2012

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Weidemann, Olaf Ulrich Wilhelm (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Garching b. München Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München 2013
Ausgabe:	1. Aufl.
Schriftenreihe:	Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology Vol. 158
Schlagworte:	Aluminiumnitrid > Wachstum > Diamant > Sensor > Mischkristall > Galliumnitrid > Quantenpunkt > Dünne Schicht > Hochschulschrift
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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