Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschichte auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K

1977. 106, A22 S. mit Abb.<br>Darmstadt, Techn. Hochsch., Fachbereich 5 - Physik, Diss.

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Heime, Axel (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	und
Veröffentlicht:	1977
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Beschreibung
Zusammenfassung:	1977. 106, A22 S. mit Abb.<br>Darmstadt, Techn. Hochsch., Fachbereich 5 - Physik, Diss.