Epitaxie aus der Sn-reichen GaAs-Schmelze: Wachstumsprozeß u. Einbaumechanismus/ vorgelegt von Ulf König

1974.- VI, 127 SÏll.; 21 cm<br>Auchen, Techn. Hochsch., Fak. für Elektrotechnik, Diss. 1974.

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	König, Ulf (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	und
Veröffentlicht:	1974
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Beschreibung
Zusammenfassung:	1974.- VI, 127 SÏll.; 21 cm<br>Auchen, Techn. Hochsch., Fak. für Elektrotechnik, Diss. 1974.