Schichtwachstum und elektronische Defekteigenschaften von CuInS2-Absorberschichten aus dem sequentiellen Prozeß
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Berlin
HMI
2000
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| Schriftenreihe: | Hahn-Meitner-Institut <Berlin>: Berichte des Hahn-Meitner-Instituts
571 |
| Schlagworte: | |
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Tag hinzufügen | Beschreibung: | Zugl.: Berlin, Freie Univ., Diss., 2000 |
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| Beschreibung: | 134 S. Ill., graph. Darst. : 30 cm |