Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen

Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2000

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Rother, Martin (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Garching Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München 2000
Ausgabe:	1. Aufl.
Schriftenreihe:	Selected topics of semiconductor physics and technology 33
Schlagworte:	Galliumarsenid > Schichtwachstum > Nanostruktur > Spaltfläche > Aluminiumarsenid > Elektronische Eigenschaft > Mischkristall > Hochschulschrift
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!